外电报道，三星6日宣布3纳米制程将自2022年量产，更先进的2纳米制程于2025年量产。三星3纳米制程比原定2021年投产时间延后约一年。

三星原本计划今年开始3纳米制程生产处理速度更快、能效更高的芯片，但6日三星在“Samsung Foundry Forum”表示，转移到全新制造技术的难度很高，3纳米制程将在2022上半年推出。代表三星客户将到2022年才能使用最先进技术。已知三星晶圆代工客户包括手机芯片厂商高通、服务器处理器设计厂商IBM、GPU大厂英伟达及三星自家芯片产品。

虽然3纳米制程延后，但三星强调，更先进的2纳米制程技术将如期在2025年推出，并2026年开始大量生产产品。三星表示，2纳米制程技术将使芯片性能、能效及电子产品小型化继续迈进，这也是三星第一次谈到2纳米制程的量产时程。

相较三星延后推出3纳米制程，晶圆代工龙头台积电也传出可能延迟的消息。台积电没有回应，仅表示一切依时程进行。台积电与三星传出3纳米制程延迟推出，外界评估可让处理器龙头英特尔较缓解压力。英特尔2021年宣布重返晶圆代工市场，将与台积电、三星两家厂商竞争，对手传出延后推出先进制程，对时程相对落后的英特尔显然是好消息。

外电报道强调，随着个人电脑销量成长，加上智能手机增加，以及资料中心线上服务量不断提升，市场对芯片的需求超过产能。三星代工事业部高层表示，“芯片短缺问题要到2022年才会缓解。尽管三星继续投资，其他代工厂商也在增加产能，但我们看来供需不平衡会再持续6~9个月。”

发展新一代制程技术方面，因进展到新一代芯片制造技术的过程非常复杂，单芯片由数十亿个比尘埃还小的电晶体组成，晶圆代工厂需在硅晶圆上蚀刻电路图，需要数十个甚至上百个步骤、耗时数月完成。三星强调，芯片制造技术进步将使电晶体缩小，就能把更多晶体管压缩到一个芯片，提高处理速度并降低功耗，这也是三星3纳米制程用新一代全环绕栅极(GAA)制程的原因。

三星强调，与5纳米制程相较，三星首个3纳米GAA制程技术将允许芯片面积减少35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面积(PPA)改进，随着制程技术成熟，3纳米良率正在接近4纳米制程。三星预计2022年推出第一代3纳米3GAE制程技术，2023年推出更新一代的3纳米3GAP制程技术，2025年以2纳米2GAP制程技术投产。

除三星外，其他晶圆代工厂也在发展GAA制程。英特尔2020年6月国际VLSI会议，技术长Mike Mayberry就说明制程技术转移到GAA技术设计下，增强静电。当时英特尔告知5年内采用GAA技术。台积电方面，预计2纳米制程采用GAA技术，代表着台积电能将FinFET技术寿命延长至3纳米制程。台积电正式推出2纳米制程确切时间目前仍不确定，因曾表示5纳米和3纳米将是长寿制程节点。

随晶圆代工厂不断注资先进制程、开发技术同时，也代表芯片变得越来越复杂，价钱也会越来越贵，这就是为什么许多客户坚持使用联电或格芯等更成熟、却便宜制程技术芯片。三星认为，虽然GAA技术困难度很高，但三星仍努力降低单芯片成本，且这趋势韩将持续下去。
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